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產(chǎn)品中心sCMOS 相機軟X射線軟X射線（腔內(nèi)）sCMOS相機 Dhyana XV95
產(chǎn)品簡介
軟X射線（腔內(nèi)）sCMOS相機 Dhyana XV95～100% QE @ 80-1000 eV10?6 Pa 真空兼容度100 ke- 滿阱容量48 fps @ 4.2 MPUSB 3.0
| 品牌 | 鑫圖 | 型號: | Dhyana XV95 |
|---|---|---|---|
| 傳感器型號: | GSENSE 400BSI-PS / GSENSE 400BSI | 芯片類型: | 無抗反射鍍膜背照式sCMOS / 標準背照式sCMOS |
| 峰值量子效率: | ~100% | 彩色 / 黑白: | 黑白 |
| 對角線尺寸: | 31.9 mm | 有效面積: | 22.5 mm x 22.5 mm |
| 分辨率: | 4.2 MP, 2048 (H) x 2048 (V) | 像素尺寸: | 11 μm x 11 μm |
| 滿阱容量: | 典型值: 90ke- | 動態(tài)范圍: | 90 dB |
| 光譜范圍: | 80 ~ 1000 eV / 200 ~ 1100 nm | 幀率: | HDR: 24 fps; STD: 48 fps |
| 讀出噪聲: | 典型值: 1.6 e- (Median) | 快門類型: | 卷簾 |
| 曝光時間: | 21 μs ~ 300 s | 線性度: | > 99% |
| DSNU: | 0.2 | PRNU: | 0.003 |
| 位深: | 12 bit, 16 bit | 制冷方式: | 水冷 |
| 制冷溫度: | 低于環(huán)境溫度 70 ℃ | 暗電流: | 0.2 e-/pixel/s @ -50 ℃芯片溫度 |
| 真空兼容度: | 10-6 Pa (Max) | Binning: | 2 x 2, 4 x 4 |
| ROI: | 支持 | 時間戳精度: | 1 μs |
| 觸發(fā)模式: | 硬件, 軟件 | 外觸發(fā)輸出: | 曝光開始, 全局, 讀出結束, 高電平, 低電平 |
| 觸發(fā)接口: | Hirose | 數(shù)據(jù)接口: | USB 3.0 |
| 法蘭尺寸: | 后穿墻法蘭DN100CF/ 用戶可定制 | 電源: | 12 V / 8 A |
| 功耗: | 100 W | 相機尺寸: | 110 mm x 110 mm x 156 mm |
| 重量: | ~3700 g | 軟件: | Mosaic, Samplepro, LabView, Matlab, Micromanager |
| SDK: | C, C++, C# | 操作系統(tǒng): | Windows, Linux |
| 操作環(huán)境: | 溫度 0~40 °C, 濕度 10~85% |
軟X射線（腔內(nèi)）sCMOS相機 Dhyana XV95（簡稱：XV95）是鑫圖開發(fā)的專業(yè)軟X 射線腔內(nèi)/ 腔外sCMOS 相機。它在對應的80-1000 eV 光子能量范圍內(nèi)近乎達到了100% 的高量子效率水平，已成功應用于國內(nèi)外多個同步輻射相關研究項目中。
采用新一代無抗反射鍍膜背照式sCMOS芯片，在對應80eV-1000eV光子能量范圍內(nèi)量子效率大幅提升，整體超過了90%，部分波段達到了近乎100%的超高水平，具有更專業(yè)的軟X射線、極紫外成像性能和抗輻射損傷能力。
采用鑫圖先進制冷密封技術，真空兼容度最高可達10?6 Pa的超高水平，制冷深度最高可達-50℃@20℃，可大幅降低相機暗電流噪聲，提升長曝光應用時間。
背照式sCMOS技術成像速度是CCD技術的數(shù)十倍，并整體呈現(xiàn)出非常高的動態(tài)范圍優(yōu)勢。如圖所示，其在采集在軟X射線衍射圖例中，其衍射級數(shù)達到6階的極大值。
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